Электронный каталог

Статья

Ma, T.
Increased Device Variability Induced by Total Ionizing Dose in 16-nm Bulk nFinFETs / T.Ma, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2022. – Vol.69, No.7, Pt.1. – P.1437-1443. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2022.3170937. – Bibliogr.:38.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$