Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Chen, J. - ASET and TID Characterization of a Radiation Hardened Bandgap Voltage Reference in a 28-nm Bulk C...
Chen, J. - ASET and TID Characterization of a Radiation Hardened Bandgap Voltage Reference in a 28-nm Bulk C...
Статья
Автор: Chen, J.
IEEE Transactions on Nuclear Science: ASET and TID Characterization of a Radiation Hardened Bandgap Voltage Reference in a 28-nm Bulk C...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Chen, J.
IEEE Transactions on Nuclear Science: ASET and TID Characterization of a Radiation Hardened Bandgap Voltage Reference in a 28-nm Bulk C...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Chen, J.
ASET and TID Characterization of a Radiation Hardened Bandgap Voltage Reference in a 28-nm Bulk CMOS Technology / J.Chen, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2022. – Vol.69, No.5. – P.1141-1147. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2022.3152496. – Bibliogr.:24.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Chen, J.
ASET and TID Characterization of a Radiation Hardened Bandgap Voltage Reference in a 28-nm Bulk CMOS Technology / J.Chen, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2022. – Vol.69, No.5. – P.1141-1147. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2022.3152496. – Bibliogr.:24.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$