Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Yu, Q. - Application of Total Ionizing Dose Radiation Test Standards to SiC MOSFETs
Yu, Q. - Application of Total Ionizing Dose Radiation Test Standards to SiC MOSFETs
![](/OpacUnicode/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Автор: Yu, Q.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Application of Total Ionizing Dose Radiation Test Standards to SiC MOSFETs
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Yu, Q.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Application of Total Ionizing Dose Radiation Test Standards to SiC MOSFETs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Yu, Q.
Application of Total Ionizing Dose Radiation Test Standards to SiC MOSFETs / Q.Yu, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2022. – Vol.69, No.5. – P.1127-1133. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2021.3135123. – Bibliogr.:25.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Yu, Q.
Application of Total Ionizing Dose Radiation Test Standards to SiC MOSFETs / Q.Yu, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2022. – Vol.69, No.5. – P.1127-1133. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2021.3135123. – Bibliogr.:25.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$