Электронный каталог

Статья

Watkins, A.C.
Mitigating Total-Ionizing-Dose-Induced Threshold-Voltage Shifts Using Back-Gate Biasing in 22-nm FD-SOI Transistors / A.C.Watkins, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2022. – Vol.69, No.3, Pt.1. – P.374-380. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2022.3146318. – Bibliogr.:24.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$