Электронный каталог

Статья

Zhang, X.
Comparison of Total Ionizing Dose Effects in SOI FinFETs Between Room and High Temperature / X.Zhang, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2022. – Vol.69, No.3, Pt.1. – P.359-366. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2021.3129784. – Bibliogr.:37.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$