Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Rony, M. W. - Negative-Bias-Stress and Total-Ionizing-Dose Effects in Deeply Scaled Ge-GAA Nanowire pFETs
Rony, M. W. - Negative-Bias-Stress and Total-Ionizing-Dose Effects in Deeply Scaled Ge-GAA Nanowire pFETs
Статья
Автор: Rony, M. W.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Negative-Bias-Stress and Total-Ionizing-Dose Effects in Deeply Scaled Ge-GAA Nanowire pFETs
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Rony, M. W.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Negative-Bias-Stress and Total-Ionizing-Dose Effects in Deeply Scaled Ge-GAA Nanowire pFETs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Rony, M.W.
Negative-Bias-Stress and Total-Ionizing-Dose Effects in Deeply Scaled Ge-GAA Nanowire pFETs / M.W.Rony, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2022. – Vol.69, No.3, Pt.1. – P.299-306. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2022.3144204. – Bibliogr.:98.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Rony, M.W.
Negative-Bias-Stress and Total-Ionizing-Dose Effects in Deeply Scaled Ge-GAA Nanowire pFETs / M.W.Rony, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2022. – Vol.69, No.3, Pt.1. – P.299-306. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2022.3144204. – Bibliogr.:98.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$