Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Sui, W. - Effects of Ion-Induced Displacement Damage on GaN/AlN MEMS Resonators
Sui, W. - Effects of Ion-Induced Displacement Damage on GaN/AlN MEMS Resonators
Статья
Автор: Sui, W.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Effects of Ion-Induced Displacement Damage on GaN/AlN MEMS Resonators
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Sui, W.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Effects of Ion-Induced Displacement Damage on GaN/AlN MEMS Resonators
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Sui, W.
Effects of Ion-Induced Displacement Damage on GaN/AlN MEMS Resonators / W.Sui, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2022. – Vol.69, No.3, Pt.1. – P.216-224. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2022.3143550. – Bibliogr.:33.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Sui, W.
Effects of Ion-Induced Displacement Damage on GaN/AlN MEMS Resonators / W.Sui, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2022. – Vol.69, No.3, Pt.1. – P.216-224. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2022.3143550. – Bibliogr.:33.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$