Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Кукушкин, С.А. - Спинтронные свойства границы раздела между Si(111) и 3C-SiC(111), выращенным методом согласованно...
Кукушкин, С.А. - Спинтронные свойства границы раздела между Si(111) и 3C-SiC(111), выращенным методом согласованно...
Статья
Автор: Кукушкин, С.А.
Журнал технической физики. Письма: Спинтронные свойства границы раздела между Si(111) и 3C-SiC(111), выращенным методом согласованно...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Кукушкин, С.А.
Журнал технической физики. Письма: Спинтронные свойства границы раздела между Si(111) и 3C-SiC(111), выращенным методом согласованно...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Кукушкин, С.А.
Спинтронные свойства границы раздела между Si(111) и 3C-SiC(111), выращенным методом согласованного замещения атомов / С.А.Кукушкин, [и др.] // Журнал технической физики. Письма. – 2022. – Т.48, №19/20. – С.43-46(№20). – URL: https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/53696. – Библиогр.:15.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.4б - Методы приготовления тонких пленок$
Кукушкин, С.А.
Спинтронные свойства границы раздела между Si(111) и 3C-SiC(111), выращенным методом согласованного замещения атомов / С.А.Кукушкин, [и др.] // Журнал технической физики. Письма. – 2022. – Т.48, №19/20. – С.43-46(№20). – URL: https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/53696. – Библиогр.:15.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.4б - Методы приготовления тонких пленок$
Привязано к:
Доступно
1 из 1