Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ткаченко, О.А. - Диаграммы Ванье для полупроводникового искусственного графена
Ткаченко, О.А. - Диаграммы Ванье для полупроводникового искусственного графена
Статья
Автор: Ткаченко, О.А.
Журнал экспериментальной и теоретической физики. Письма: Диаграммы Ванье для полупроводникового искусственного графена
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Ткаченко, О.А.
Журнал экспериментальной и теоретической физики. Письма: Диаграммы Ванье для полупроводникового искусственного графена
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ткаченко, О.А.
Диаграммы Ванье для полупроводникового искусственного графена / О.А.Ткаченко, [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. Письма. – 2022. – Т.116, №9/10. – С.616-620. – URL: http://www.jetpletters.ru/ps/2394/article_35349.pdf. – Библиогр.:21.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.7 - Фуллерены (Сn). Атомные кластеры
Ткаченко, О.А.
Диаграммы Ванье для полупроводникового искусственного графена / О.А.Ткаченко, [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. Письма. – 2022. – Т.116, №9/10. – С.616-620. – URL: http://www.jetpletters.ru/ps/2394/article_35349.pdf. – Библиогр.:21.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.7 - Фуллерены (Сn). Атомные кластеры