Электронный каталог

Статья

Mokgadi, T.
Helium and Strontium Сo-Implantation into SiC at Room Temperature and Isochronal Annealing: Structural Evolution of SiC and Migration Behaviour of Strontium / T.Mokgadi, V.Skuratov, [et al.] // Materials Chemistry and Physics [Electronic resource]. – 2023. – Vol.294. – P.126998. – URL: https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2022.126998. – Bibliogr.:81.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Спец.(статьи,препринты) = С 44 г - Физико-химические методы анализа элементов. Анализ с помощью ядерных методов
ОИЯИ = ОИЯИ (JINR)2023