Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Макаревская, Е.А. - p–n-Структура, создаваемая на поверхности n-GaAs низкоэнергетическими ионами Ar*+
Макаревская, Е.А. - p–n-Структура, создаваемая на поверхности n-GaAs низкоэнергетическими ионами Ar*+
Статья
Автор: Макаревская, Е.А.
Поверхность: p–n-Структура, создаваемая на поверхности n-GaAs низкоэнергетическими ионами Ar*+
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Макаревская, Е.А.
Поверхность: p–n-Структура, создаваемая на поверхности n-GaAs низкоэнергетическими ионами Ar*+
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Макаревская, Е.А.
p–n-Структура, создаваемая на поверхности n-GaAs низкоэнергетическими ионами Ar*+ / Е.А.Макаревская, [и др.] // Поверхность. – 2022. – №10. – С.81-87. – URL: http://dx.doi.org/10.1134/S1027451022050329. – Библиогр.:34.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Макаревская, Е.А.
p–n-Структура, создаваемая на поверхности n-GaAs низкоэнергетическими ионами Ar*+ / Е.А.Макаревская, [и др.] // Поверхность. – 2022. – №10. – С.81-87. – URL: http://dx.doi.org/10.1134/S1027451022050329. – Библиогр.:34.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
