Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Osvald, J. - Temperature Dependence of Electrical Behaviour of Inhomogeneous Ni/Au/4H–SiC Schottky Diodes
Osvald, J. - Temperature Dependence of Electrical Behaviour of Inhomogeneous Ni/Au/4H–SiC Schottky Diodes
Статья
Автор: Osvald, J.
Materials Science in Semiconductor Processing [Electronic resource]: Temperature Dependence of Electrical Behaviour of Inhomogeneous Ni/Au/4H–SiC Schottky Diodes
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Osvald, J.
Materials Science in Semiconductor Processing [Electronic resource]: Temperature Dependence of Electrical Behaviour of Inhomogeneous Ni/Au/4H–SiC Schottky Diodes
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Osvald, J.
Temperature Dependence of Electrical Behaviour of Inhomogeneous Ni/Au/4H–SiC Schottky Diodes / J.Osvald, L.Hrubcin, B.Zatko // Materials Science in Semiconductor Processing [Electronic resource]. – 2022. – Vol.140. – p.106413. – URL: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2021.106413. – Bibliogr.:24.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1м - Полупроводниковые детекторы
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1у - Диэлектрические детекторы. Детекторы осколков деления
ОИЯИ = ОИЯИ (JINR)2022
Osvald, J.
Temperature Dependence of Electrical Behaviour of Inhomogeneous Ni/Au/4H–SiC Schottky Diodes / J.Osvald, L.Hrubcin, B.Zatko // Materials Science in Semiconductor Processing [Electronic resource]. – 2022. – Vol.140. – p.106413. – URL: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2021.106413. – Bibliogr.:24.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1м - Полупроводниковые детекторы
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1у - Диэлектрические детекторы. Детекторы осколков деления
ОИЯИ = ОИЯИ (JINR)2022