Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ding, J. - Aging Effects and Latent Interface-Trap Buildup in MOS Transistors
Ding, J. - Aging Effects and Latent Interface-Trap Buildup in MOS Transistors
Статья
Автор: Ding, J.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Aging Effects and Latent Interface-Trap Buildup in MOS Transistors
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Ding, J.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Aging Effects and Latent Interface-Trap Buildup in MOS Transistors
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Ding, J.
Aging Effects and Latent Interface-Trap Buildup in MOS Transistors / J.Ding, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2021. – Vol.68, No.12. – p.2724-2735. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2021.3128835. – Bibliogr.:119.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Ding, J.
Aging Effects and Latent Interface-Trap Buildup in MOS Transistors / J.Ding, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2021. – Vol.68, No.12. – p.2724-2735. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2021.3128835. – Bibliogr.:119.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Привязано к:
Доступно
1 из 1