Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Huang, P. - Effect of Cell Placement on Single-Event Transient Pulse in a Bulk FinFET Technology
Huang, P. - Effect of Cell Placement on Single-Event Transient Pulse in a Bulk FinFET Technology
Статья
Автор: Huang, P.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Effect of Cell Placement on Single-Event Transient Pulse in a Bulk FinFET Technology
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Huang, P.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Effect of Cell Placement on Single-Event Transient Pulse in a Bulk FinFET Technology
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Huang, P.
Effect of Cell Placement on Single-Event Transient Pulse in a Bulk FinFET Technology / P.Huang, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2021. – Vol.68, No.5, Pt.2. – p.1103-1110. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2021.3070588. – Bibliogr.:33.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Huang, P.
Effect of Cell Placement on Single-Event Transient Pulse in a Bulk FinFET Technology / P.Huang, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2021. – Vol.68, No.5, Pt.2. – p.1103-1110. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2021.3070588. – Bibliogr.:33.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$