Электронный каталог

Статья

Toguchi, S.
Charge Trapping and Transconductance Degradation in Irradiated 3-D Sequentially Integrated FDSOI MOSFETs / S.Toguchi, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2021. – Vol.68, No.5, Pt.1. – p.707-715. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2021.3059999. – Bibliogr.:52.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$