Электронный каталог -Gorchichko, M. - Total-Ionizing-Dose Response of Highly Scaled Gate-All-Around Si Nanowire CMOS Transistors- Absopac

Статья
Автор: Gorchichko, M.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Total-Ionizing-Dose Response of Highly Scaled Gate-All-Around Si Nanowire CMOS Transistors
б.г.
ISBN отсутствует

полный текст

На полку

Статья

Gorchichko, M.
Total-Ionizing-Dose Response of Highly Scaled Gate-All-Around Si Nanowire CMOS Transistors / M.Gorchichko, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2021. – Vol.68, No.5, Pt.1. – p.687-696. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2021.3066612. – Bibliogr.:79.

Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$

Электронный каталог

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Gorchichko, M. - Total-Ionizing-Dose Response of Highly Scaled Gate-All-Around Si Nanowire CMOS Transistors

Gorchichko, M. - Total-Ionizing-Dose Response of Highly Scaled Gate-All-Around Si Nanowire CMOS Transistors

Электронный каталог

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Gorchichko, M. - Total-Ionizing-Dose Response of Highly Scaled Gate-All-Around Si Nanowire CMOS Transistors

Gorchichko, M. - Total-Ionizing-Dose Response of Highly Scaled Gate-All-Around Si Nanowire CMOS Transistors

Привязано к: