Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Марков, Л.К. - Светодиод на основе AlInGaN-гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изгот...
Марков, Л.К. - Светодиод на основе AlInGaN-гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изгот...
Статья
Автор: Марков, Л.К.
Журнал технической физики. Письма: Светодиод на основе AlInGaN-гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изгот...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Марков, Л.К.
Журнал технической физики. Письма: Светодиод на основе AlInGaN-гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изгот...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Марков, Л.К.
Светодиод на основе AlInGaN-гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления / Л.К.Марков, [и др.] // Журнал технической физики. Письма. – 2021. – Т.47, №17/18. – с.3-6(№18). – URL: https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/51462. – Библиогр.:7.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.4б - Методы приготовления тонких пленок$
Марков, Л.К.
Светодиод на основе AlInGaN-гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления / Л.К.Марков, [и др.] // Журнал технической физики. Письма. – 2021. – Т.47, №17/18. – с.3-6(№18). – URL: https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/51462. – Библиогр.:7.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.4б - Методы приготовления тонких пленок$