Электронный каталог

Статья

Ren, Z.
TID Response and Radiation-Enhanced Hot-Carrier Degradation in 65-nm nMOSFETs: Concerns on the Layout-Dependent Effects / Z.Ren, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2021. – Vol.68, No.8, Pt.1. – p.1565-1570. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2021.3063137. – Bibliogr.:29.



Спец.(статьи,препринты) = С 349 а - Дозиметрия различных видов излучения. Абсолютные измерения потоков