Электронный каталог

Статья

Ball, D.R.
Effects of Breakdown Voltage on Single-Event Burnout Tolerance of High-Voltage SiC Power MOSFETs / D.R.Ball, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2021. – Vol.68, No.7. – p.1430-1435. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2021.3079846. – Bibliogr.:32.



Спец.(статьи,препринты) = С 344.3е - Системы электронных блоков для физических измерений: для временных измерений, логические схемы, спектрометрические