Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Сыщенко, В.В. - Статистические свойства уровней энергии поперечного движения при каналировании электронов в крист...
Сыщенко, В.В. - Статистические свойства уровней энергии поперечного движения при каналировании электронов в крист...
Статья
Автор: Сыщенко, В.В.
Поверхность: Статистические свойства уровней энергии поперечного движения при каналировании электронов в крист...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Сыщенко, В.В.
Поверхность: Статистические свойства уровней энергии поперечного движения при каналировании электронов в крист...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Сыщенко, В.В.
Статистические свойства уровней энергии поперечного движения при каналировании электронов в кристалле кремния в условиях динамического хаоса / В.В.Сыщенко, А.И.Тарновский // Поверхность. – 2021. – №7. – с.84-88. – URL: https://doi.org/10.1134/S1027451021040200. – Библиогр.:14.
Спец.(статьи,препринты) = С 332.2 - Тормозное излучение заряженных частиц
Сыщенко, В.В.
Статистические свойства уровней энергии поперечного движения при каналировании электронов в кристалле кремния в условиях динамического хаоса / В.В.Сыщенко, А.И.Тарновский // Поверхность. – 2021. – №7. – с.84-88. – URL: https://doi.org/10.1134/S1027451021040200. – Библиогр.:14.
Спец.(статьи,препринты) = С 332.2 - Тормозное излучение заряженных частиц
