Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Мясоедов, А.В. - Микроструктура эпитаксиальных слоев GaN, полученных на нанопрофилированных Si(001)-подложках
Мясоедов, А.В. - Микроструктура эпитаксиальных слоев GaN, полученных на нанопрофилированных Si(001)-подложках
Статья
Автор: Мясоедов, А.В.
Кристаллография: Микроструктура эпитаксиальных слоев GaN, полученных на нанопрофилированных Si(001)-подложках
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Мясоедов, А.В.
Кристаллография: Микроструктура эпитаксиальных слоев GaN, полученных на нанопрофилированных Si(001)-подложках
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Мясоедов, А.В.
Микроструктура эпитаксиальных слоев GaN, полученных на нанопрофилированных Si(001)-подложках / А.В.Мясоедов, [и др.] // Кристаллография. – 2021. – Т.66, №4. – с.645-649. – URL: https://doi.org/10.1134/S1063774521040155. – Библиогр.:13.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.4б - Методы приготовления тонких пленок$
Мясоедов, А.В.
Микроструктура эпитаксиальных слоев GaN, полученных на нанопрофилированных Si(001)-подложках / А.В.Мясоедов, [и др.] // Кристаллография. – 2021. – Т.66, №4. – с.645-649. – URL: https://doi.org/10.1134/S1063774521040155. – Библиогр.:13.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.4б - Методы приготовления тонких пленок$
