Электронный каталог

Статья

Рыков, А.В.
Влияние состава зародышевого слоя AlGaAs на формирование антифазных доменов в структурах (Al)GaAs, выращенных газофазной эпитаксией на подложках Ge/Si(100) / А.В.Рыков, [и др.] // Журнал технической физики. Письма. – 2021. – Т.47, №7/8. – с.37-40(№8). – URL: https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/50852. – Библиогр.:9.



Спец.(статьи,препринты) = С 344.4б - Методы приготовления тонких пленок$