Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Casey, M. C. - Single-Event Response of 22-nm Fully Depleted Silicon-on-Insulator Static Random Access Memory
Casey, M. C. - Single-Event Response of 22-nm Fully Depleted Silicon-on-Insulator Static Random Access Memory
Статья
Автор: Casey, M. C.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Single-Event Response of 22-nm Fully Depleted Silicon-on-Insulator Static Random Access Memory
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Casey, M. C.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Single-Event Response of 22-nm Fully Depleted Silicon-on-Insulator Static Random Access Memory
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Casey, M.C.
Single-Event Response of 22-nm Fully Depleted Silicon-on-Insulator Static Random Access Memory / M.C.Casey, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2021. – Vol.68, No.4. – p.402-409. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2021.3060365. – Bibliogr.:27.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Casey, M.C.
Single-Event Response of 22-nm Fully Depleted Silicon-on-Insulator Static Random Access Memory / M.C.Casey, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2021. – Vol.68, No.4. – p.402-409. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2021.3060365. – Bibliogr.:27.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Привязано к:
Доступно
1 из 1