Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Peng, C. - Influence of Buried Oxide Si*+ Implantation on TID and NBTI Effects for PDSOI MOSFETs
Peng, C. - Influence of Buried Oxide Si*+ Implantation on TID and NBTI Effects for PDSOI MOSFETs
Статья
Автор: Peng, C.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Influence of Buried Oxide Si*+ Implantation on TID and NBTI Effects for PDSOI MOSFETs
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Peng, C.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Influence of Buried Oxide Si*+ Implantation on TID and NBTI Effects for PDSOI MOSFETs
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Peng, C.
Influence of Buried Oxide Si*+ Implantation on TID and NBTI Effects for PDSOI MOSFETs / C.Peng, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2021. – Vol.68, No.2. – p.156-164. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2021.3049284. – Bibliogr.:37.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Peng, C.
Influence of Buried Oxide Si*+ Implantation on TID and NBTI Effects for PDSOI MOSFETs / C.Peng, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2021. – Vol.68, No.2. – p.156-164. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2021.3049284. – Bibliogr.:37.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Привязано к:
Доступно
1 из 1