Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Riffaud, J. - TID Response of Nanowire Field-Effect Transistors: Impact of the Back-Gate Bias
Riffaud, J. - TID Response of Nanowire Field-Effect Transistors: Impact of the Back-Gate Bias
Статья
Автор: Riffaud, J.
IEEE Transactions on Nuclear Science: TID Response of Nanowire Field-Effect Transistors: Impact of the Back-Gate Bias
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Riffaud, J.
IEEE Transactions on Nuclear Science: TID Response of Nanowire Field-Effect Transistors: Impact of the Back-Gate Bias
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Riffaud, J.
TID Response of Nanowire Field-Effect Transistors: Impact of the Back-Gate Bias / J.Riffaud, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2020. – Vol.67, No.10. – p.2172-2178. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2020.3018444. – Bibliogr.:34.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Riffaud, J.
TID Response of Nanowire Field-Effect Transistors: Impact of the Back-Gate Bias / J.Riffaud, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2020. – Vol.67, No.10. – p.2172-2178. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2020.3018444. – Bibliogr.:34.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Привязано к:
Доступно
1 из 1