Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Wang, R. - Total Ionizing Dose Effects in 30-V Split-Gate Trench VDMOS
Wang, R. - Total Ionizing Dose Effects in 30-V Split-Gate Trench VDMOS
![](/OpacUnicode/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Автор: Wang, R.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Total Ionizing Dose Effects in 30-V Split-Gate Trench VDMOS
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Wang, R.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Total Ionizing Dose Effects in 30-V Split-Gate Trench VDMOS
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Wang, R.
Total Ionizing Dose Effects in 30-V Split-Gate Trench VDMOS / R.Wang, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2020. – Vol.67, No.9. – p.2009-2014. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2020.2965286. – Bibliogr.:26.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Wang, R.
Total Ionizing Dose Effects in 30-V Split-Gate Trench VDMOS / R.Wang, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2020. – Vol.67, No.9. – p.2009-2014. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2020.2965286. – Bibliogr.:26.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$