Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Haran, A. - Single-Event Upset Tolerance Study of a Low-Voltage 13T Radiation-Hardened SRAM Bitcell
Haran, A. - Single-Event Upset Tolerance Study of a Low-Voltage 13T Radiation-Hardened SRAM Bitcell
Статья
Автор: Haran, A.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Single-Event Upset Tolerance Study of a Low-Voltage 13T Radiation-Hardened SRAM Bitcell
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Haran, A.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Single-Event Upset Tolerance Study of a Low-Voltage 13T Radiation-Hardened SRAM Bitcell
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Haran, A.
Single-Event Upset Tolerance Study of a Low-Voltage 13T Radiation-Hardened SRAM Bitcell / A.Haran, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2020. – Vol.67, No.8. – p.1803-1812. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2020.3002654. – Bibliogr.:37.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Haran, A.
Single-Event Upset Tolerance Study of a Low-Voltage 13T Radiation-Hardened SRAM Bitcell / A.Haran, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2020. – Vol.67, No.8. – p.1803-1812. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2020.3002654. – Bibliogr.:37.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Привязано к:
Доступно
1 из 1