Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Austin, R. A. - Inclusion of Radiation Environment Variability for Reliability Estimates for SiC Power MOSFETs
Austin, R. A. - Inclusion of Radiation Environment Variability for Reliability Estimates for SiC Power MOSFETs
Статья
Автор: Austin, R. A.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Inclusion of Radiation Environment Variability for Reliability Estimates for SiC Power MOSFETs
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Austin, R. A.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Inclusion of Radiation Environment Variability for Reliability Estimates for SiC Power MOSFETs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Austin, R.A.
Inclusion of Radiation Environment Variability for Reliability Estimates for SiC Power MOSFETs / R.A.Austin, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2020. – Vol.67, No.1, Pt.1. – p.353-357. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2019.2957979. – Bibliogr.:20.
Спец.(статьи,препринты) = С 349 в - Защита от излучений. Защитные приспособления и материалы. Дозиметрическая характеристика излучателей
Austin, R.A.
Inclusion of Radiation Environment Variability for Reliability Estimates for SiC Power MOSFETs / R.A.Austin, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2020. – Vol.67, No.1, Pt.1. – p.353-357. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2019.2957979. – Bibliogr.:20.
Спец.(статьи,препринты) = С 349 в - Защита от излучений. Защитные приспособления и материалы. Дозиметрическая характеристика излучателей