Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Zheng, Z. - Comparison of the Total Dose Responses of Fully Depleted SOI nMOSFETs with Different Geometries f...
Zheng, Z. - Comparison of the Total Dose Responses of Fully Depleted SOI nMOSFETs with Different Geometries f...
Статья
Автор: Zheng, Z.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Comparison of the Total Dose Responses of Fully Depleted SOI nMOSFETs with Different Geometries f...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Zheng, Z.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Comparison of the Total Dose Responses of Fully Depleted SOI nMOSFETs with Different Geometries f...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Zheng, Z.
Comparison of the Total Dose Responses of Fully Depleted SOI nMOSFETs with Different Geometries for the Worst Case Bias Conditions / Z.Zheng, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2019. – Vol.66, No.10. – p.2207-2214. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2019.2936607. – Bibliogr.:37.
Спец.(статьи,препринты) = С 349 а - Дозиметрия различных видов излучения. Абсолютные измерения потоков
Zheng, Z.
Comparison of the Total Dose Responses of Fully Depleted SOI nMOSFETs with Different Geometries for the Worst Case Bias Conditions / Z.Zheng, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2019. – Vol.66, No.10. – p.2207-2214. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2019.2936607. – Bibliogr.:37.
Спец.(статьи,препринты) = С 349 а - Дозиметрия различных видов излучения. Абсолютные измерения потоков