Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Козловский, В.В. - Зависимость кинетики радиационного дефектообразования от энергии, поглощенной в Si и SiC, при воз...
Козловский, В.В. - Зависимость кинетики радиационного дефектообразования от энергии, поглощенной в Si и SiC, при воз...
Статья
Автор: Козловский, В.В.
Поверхность: Зависимость кинетики радиационного дефектообразования от энергии, поглощенной в Si и SiC, при воз...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Козловский, В.В.
Поверхность: Зависимость кинетики радиационного дефектообразования от энергии, поглощенной в Si и SiC, при воз...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Козловский, В.В.
Зависимость кинетики радиационного дефектообразования от энергии, поглощенной в Si и SiC, при воздействии быстрых заряженных частиц / В.В.Козловский, [и др.] // Поверхность. – 2019. – №12. – с.20-24. – URL: http://dx.doi.org/10.1134/S1027451019060387. – Библиогр.:22.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Козловский, В.В.
Зависимость кинетики радиационного дефектообразования от энергии, поглощенной в Si и SiC, при воздействии быстрых заряженных частиц / В.В.Козловский, [и др.] // Поверхность. – 2019. – №12. – с.20-24. – URL: http://dx.doi.org/10.1134/S1027451019060387. – Библиогр.:22.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
