Электронный каталог

Статья

Kuboyama, S.
Physical Analysis of Damage Sites Introduced by SEGR in Silicon Vertical Power MOSFETs and Implications for Postirradiation Gate-Stress Test / S.Kuboyama, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2019. – Vol.66, No.7, Pt.2. – p.1710-1714. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2019.2902871. – Bibliogr.:17.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$