Электронный каталог

Статья

Khachatrian, A.
The Effect of the Gate-Connected Field Plate on Single-Event Transients in AlGaN/GaN Schottky-Gate HEMTs / A.Khachatrian, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2019. – Vol.66, No.7, Pt.2. – p.1682-1687. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2019.2910493. – Bibliogr.:18.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$