Электронный каталог

Статья

Zhao, S.E.
Gate Bias and Length Dependences of Total Ionizing Dose Effects in InGaAs FinFETs on Bulk Si / S.E.Zhao, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2019. – Vol.66, No.7, Pt.2. – p.1599-1605. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2019.2890827. – Bibliogr.:39.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$