Электронный каталог

Статья

Ren, Z.
Interface Passivation Strategy for Ge pMOSFET from a TID Perspective / Z.Ren, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2019. – Vol.66, No.7, Pt.2. – p.1592-1598. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2019.2896903. – Bibliogr.:24.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$