Электронный каталог

Статья

Bonaldo, S.
Charge Buildup and Spatial Distribution of Interface Traps in 65-nm pMOSFETs Irradiated to Ultrahigh Doses / S.Bonaldo, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2019. – Vol.66, No.7, Pt.2. – p.1574-1583. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2019.2903020. – Bibliogr.:29.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$