Электронный каталог

Статья

Yang, Z.
The Effect of the Interfacial States by Swift Heavy Ion Induced Atomic Migration in 4H-SiC Schottky Barrier Diodes / Z.Yang, [et al.] // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B. – 2018. – Vol.436. – p.244-248. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2018.09.024. – Bibliogr.:25.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$