Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Haji-Nasiri, S. - Doping Induced Diode Behavior with Large Rectifying Ratio in Graphyne Nanoribbons Device
Haji-Nasiri, S. - Doping Induced Diode Behavior with Large Rectifying Ratio in Graphyne Nanoribbons Device
Статья
Автор: Haji-Nasiri, S.
Physics Letters A: Doping Induced Diode Behavior with Large Rectifying Ratio in Graphyne Nanoribbons Device
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Haji-Nasiri, S.
Physics Letters A: Doping Induced Diode Behavior with Large Rectifying Ratio in Graphyne Nanoribbons Device
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Haji-Nasiri, S.
Doping Induced Diode Behavior with Large Rectifying Ratio in Graphyne Nanoribbons Device / S.Haji-Nasiri, S.Fotoohi // Physics Letters A. – 2018. – Vol.382, No.39. – p.2894-2899. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.physleta.2018.08.007. – Bibliogr.:39.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.7 - Фуллерены (Сn). Атомные кластеры
Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$
Haji-Nasiri, S.
Doping Induced Diode Behavior with Large Rectifying Ratio in Graphyne Nanoribbons Device / S.Haji-Nasiri, S.Fotoohi // Physics Letters A. – 2018. – Vol.382, No.39. – p.2894-2899. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.physleta.2018.08.007. – Bibliogr.:39.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.7 - Фуллерены (Сn). Атомные кластеры
Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$