Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Калмыков, А.Е. - Асимметрия дефектной структуры полуполярного GaN, выращенного на Si(001)
Калмыков, А.Е. - Асимметрия дефектной структуры полуполярного GaN, выращенного на Si(001)
Статья
Автор: Калмыков, А.Е.
Журнал технической физики. Письма: Асимметрия дефектной структуры полуполярного GaN, выращенного на Si(001)
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Калмыков, А.Е.
Журнал технической физики. Письма: Асимметрия дефектной структуры полуполярного GaN, выращенного на Si(001)
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Калмыков, А.Е.
Асимметрия дефектной структуры полуполярного GaN, выращенного на Si(001) / А.Е.Калмыков, [и др.] // Журнал технической физики. Письма. – 2018. – Т.44, №20. – с.53-61. – URL: https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/46806. – Библиогр.:14.
Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$
Калмыков, А.Е.
Асимметрия дефектной структуры полуполярного GaN, выращенного на Si(001) / А.Е.Калмыков, [и др.] // Журнал технической физики. Письма. – 2018. – Т.44, №20. – с.53-61. – URL: https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/46806. – Библиогр.:14.
Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$
Привязано к:
Доступно
1 из 1