Электронный каталог

Статья

Wang, Q.
TCAD Simulation of Single-Event-Transient Effects in L-Shaped Channel Tunneling Field-Effect Transistors / Q.Wang, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2018. – Vol.65, No.8, Pt.3. – p.2250-2259. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2018.2851366. – Bibliogr.:42.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$