Электронный каталог

Статья

Zhang, H.
Effects of Total-Ionizing-Dose Irradiation on Single-Event Response for Flip-Flop Designs at a 14-/16-nm Bulk FinFET Technology Node / H.Zhang, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2018. – Vol.65, No.8, Pt.1. – p.1928-1934. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2017.2781622. – Bibliogr.:20.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$