Электронный каталог -Balbekov, A. O. - Circuit-Level Layout-Aware Modeling of Single-Event Effects in 65-nm CMOS ICs- Absopac

Статья
Автор: Balbekov, A. O.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Circuit-Level Layout-Aware Modeling of Single-Event Effects in 65-nm CMOS ICs
б.г.
ISBN отсутствует

полный текст

На полку

Статья

Balbekov, A.O.
Circuit-Level Layout-Aware Modeling of Single-Event Effects in 65-nm CMOS ICs / A.O.Balbekov, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2018. – Vol.65, No.8, Pt.1. – p.1914-1919. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2018.2802205. – Bibliogr.:30.

Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$

Электронный каталог

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Balbekov, A. O. - Circuit-Level Layout-Aware Modeling of Single-Event Effects in 65-nm CMOS ICs

Balbekov, A. O. - Circuit-Level Layout-Aware Modeling of Single-Event Effects in 65-nm CMOS ICs

Электронный каталог

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Balbekov, A. O. - Circuit-Level Layout-Aware Modeling of Single-Event Effects in 65-nm CMOS ICs

Balbekov, A. O. - Circuit-Level Layout-Aware Modeling of Single-Event Effects in 65-nm CMOS ICs

Привязано к: