Электронный каталог

Статья

Harrington, R.C.
Effect of Transistor Variants on Single-Event Transients at the 14-/16-nm Bulk FinFET Technology Generation / R.C.Harrington, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2018. – Vol.65, No.8, Pt.1. – p.1807-1813. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2018.2843260. – Bibliogr.:20.



Спец.(статьи,препринты) = С 349 в - Защита от излучений. Защитные приспособления и материалы. Дозиметрическая характеристика излучателей