Электронный каталог -Riffaud, J. - TID Response of pMOS Nanowire Field-Effect Transistors: Geometry and Bias Dependence- Absopac

Статья
Автор: Riffaud, J.
IEEE Transactions on Nuclear Science: TID Response of pMOS Nanowire Field-Effect Transistors: Geometry and Bias Dependence
б.г.
ISBN отсутствует

полный текст

На полку

Статья

Riffaud, J.
TID Response of pMOS Nanowire Field-Effect Transistors: Geometry and Bias Dependence / J.Riffaud, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2018. – Vol.65, No.8, Pt.1. – p.1525-1531. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2018.2850531. – Bibliogr.:23.

Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$

Электронный каталог

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Riffaud, J. - TID Response of pMOS Nanowire Field-Effect Transistors: Geometry and Bias Dependence

Riffaud, J. - TID Response of pMOS Nanowire Field-Effect Transistors: Geometry and Bias Dependence

Электронный каталог

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Riffaud, J. - TID Response of pMOS Nanowire Field-Effect Transistors: Geometry and Bias Dependence

Riffaud, J. - TID Response of pMOS Nanowire Field-Effect Transistors: Geometry and Bias Dependence

Привязано к: