Электронный каталог -Wang, P. F. - X-Ray and Proton Radiation Effects on 40 nm CMOS Physically Unclonable Function Devices- Absopac

Статья
Автор: Wang, P. F.
IEEE Transactions on Nuclear Science: X-Ray and Proton Radiation Effects on 40 nm CMOS Physically Unclonable Function Devices
б.г.
ISBN отсутствует

полный текст

На полку

Статья

Wang, P.F.
X-Ray and Proton Radiation Effects on 40 nm CMOS Physically Unclonable Function Devices / P.F.Wang, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2018. – Vol.65, No.8, Pt.1. – p.1519-1524. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2017.2789160. – Bibliogr.:19.

Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$

Электронный каталог

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Wang, P. F. - X-Ray and Proton Radiation Effects on 40 nm CMOS Physically Unclonable Function Devices

Wang, P. F. - X-Ray and Proton Radiation Effects on 40 nm CMOS Physically Unclonable Function Devices

Электронный каталог

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Wang, P. F. - X-Ray and Proton Radiation Effects on 40 nm CMOS Physically Unclonable Function Devices

Wang, P. F. - X-Ray and Proton Radiation Effects on 40 nm CMOS Physically Unclonable Function Devices

Привязано к: