Электронный каталог

Статья

Tolleson, B.S.
Improved Model for Excess Base Current in Irradiated Lateral p-n-p Bipolar Junction Transistors / B.S.Tolleson, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2018. – Vol.65, No.8, Pt.1. – p.1488-1495. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2018.2829110. – Bibliogr.:17.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$