Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Borghello, G. - Dose-Rate Sensitivity of 65-nm MOSFETs Exposed to Ultrahigh Doses
Borghello, G. - Dose-Rate Sensitivity of 65-nm MOSFETs Exposed to Ultrahigh Doses
Статья
Автор: Borghello, G.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Dose-Rate Sensitivity of 65-nm MOSFETs Exposed to Ultrahigh Doses
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Borghello, G.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Dose-Rate Sensitivity of 65-nm MOSFETs Exposed to Ultrahigh Doses
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Borghello, G.
Dose-Rate Sensitivity of 65-nm MOSFETs Exposed to Ultrahigh Doses / G.Borghello, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2018. – Vol.65, No.8, Pt.1. – p.1482-1487. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2018.2828142. – Bibliogr.:26.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Borghello, G.
Dose-Rate Sensitivity of 65-nm MOSFETs Exposed to Ultrahigh Doses / G.Borghello, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2018. – Vol.65, No.8, Pt.1. – p.1482-1487. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2018.2828142. – Bibliogr.:26.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$