Электронный каталог

Статья

Li, X.
Hydrogen Soaking, Displacement Damage Effects, and Charge Yield in Gated Lateral Bipolar Junction Transistors / X.Li, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2018. – Vol.65, No.6. – p.1271-1276. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2018.2837032. – Bibliogr.:40.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$