Электронный каталог

Статья

Mccrory, D.J.
Total Ionizing Dose Effects on TiN/Ti/HfO&sub(2)/TiN Resistive Random Access Memory Studied Via Electrically Detected Magnetic Resonance / D.J.Mccrory, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2018. – Vol.65, No.5. – p.1101-1107. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2018.2820907. – Bibliogr.:34.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$