Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Bouzid, A. - Electron Trap States at InGaAs/Oxide Interfaces Under Inversion Through Constant Fermi-Level ab i...
Bouzid, A. - Electron Trap States at InGaAs/Oxide Interfaces Under Inversion Through Constant Fermi-Level ab i...
![](/OpacUnicode/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Автор: Bouzid, A.
Journal of Physics: Condensed Matter: Electron Trap States at InGaAs/Oxide Interfaces Under Inversion Through Constant Fermi-Level ab i...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Bouzid, A.
Journal of Physics: Condensed Matter: Electron Trap States at InGaAs/Oxide Interfaces Under Inversion Through Constant Fermi-Level ab i...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Bouzid, A.
Electron Trap States at InGaAs/Oxide Interfaces Under Inversion Through Constant Fermi-Level ab initio Molecular Dynamics / A.Bouzid, A.Pasquarello // Journal of Physics: Condensed Matter. – 2017. – Vol.29, No.50. – p.505702. – URL: http://dx.doi.org/10.1088/1361-648X/aa9a00. – Bibliogr.:51.
Спец.(статьи,препринты) = С 17 к - Расчеты по молекулярной динамике. Численное моделирование физических задач
Bouzid, A.
Electron Trap States at InGaAs/Oxide Interfaces Under Inversion Through Constant Fermi-Level ab initio Molecular Dynamics / A.Bouzid, A.Pasquarello // Journal of Physics: Condensed Matter. – 2017. – Vol.29, No.50. – p.505702. – URL: http://dx.doi.org/10.1088/1361-648X/aa9a00. – Bibliogr.:51.
Спец.(статьи,препринты) = С 17 к - Расчеты по молекулярной динамике. Численное моделирование физических задач