Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Xu, L. - Improved Single-Event Transient Hardness in Tunnel-Diode Body-Contact SOI nMOS
Xu, L. - Improved Single-Event Transient Hardness in Tunnel-Diode Body-Contact SOI nMOS
Статья
Автор: Xu, L.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Improved Single-Event Transient Hardness in Tunnel-Diode Body-Contact SOI nMOS
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Xu, L.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Improved Single-Event Transient Hardness in Tunnel-Diode Body-Contact SOI nMOS
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Xu, L.
Improved Single-Event Transient Hardness in Tunnel-Diode Body-Contact SOI nMOS / L.Xu, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2017. – Vol.64, No.10. – p.2669-2672. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2017.2749642. – Bibliogr.:21.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Xu, L.
Improved Single-Event Transient Hardness in Tunnel-Diode Body-Contact SOI nMOS / L.Xu, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2017. – Vol.64, No.10. – p.2669-2672. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2017.2749642. – Bibliogr.:21.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$